聚酰亚胺( polyimide，PI) 由于在宽广的温度范围内表现出优异的热稳定性和电气绝缘性能，被广泛应用于航空航天及电气电子等领域。而传统的纯聚酰亚胺薄膜已经很难满足目前的绝缘要求，例如脉宽调制变频调速驱动系统的广泛应用就对绝缘材料的耐电晕性提出了更高的要求。
杜邦公司从上世纪90 年代就开始制造纳米氧化铝杂化耐电晕聚酰亚胺薄膜( Kapton 100 CR) ，但其制备方法从未见任何报道。许多相关的报道中，都是通过溶胶－ 凝胶法将异丙醇铝水解，或将纳米氧化铝粉在溶剂中超声分散，再原位聚合或直接共混制得杂化聚酰胺酸溶液。但是这些方法都没有比较有效的提高聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能。十几年来，杜邦公司也没有在Kapton 100 CR 薄膜的基础上对聚酰亚胺薄膜的耐电晕性能有进一步的突破。
T J Lewis和M Roy等认为注入的载流子可能在纳米粒子表面形成双电层结构，从而影响载流子的电输运过程。设想如果能在无机纳米氧化铝分散相中进一步引入均匀分布的相对较深的化学结构载流子陷阱，是否可能改变载流子的分布状态和迁移过程，从而大幅度提高耐电晕寿命? 在电介质物理理论和文献报道中，还未见关于该设想方面的讨论。
