虽然国内耐电晕聚酰亚胺薄膜制品的关键性能仍低于杜邦公司的产品水平, 但实验室阶段的研究已取得一定的进展。
采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/ 纳米Al 2O 3 复合材料,并采用透射电子显微镜( TEM) 对纳米Al 2O3 的分散状态进行了表征。研究表明,随着纳米Al 2O3 含量的增加, 材料的耐电晕性能显著增强, 在±910 V (双极性) 、15 kHz 条件下,纳米Al 2O 3质量分数为20 %的聚酰亚胺(P I) 薄膜的耐电晕寿命达到极大值, 为纯P I 薄膜寿命的25
倍,聚酰亚胺/ 纳米Al 2O 3 复合材料的体积电阻率和电气强度没有明显的劣化, 而相对介电常数和介质损耗因数有所增加。他们还采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/ 纳米TiO2 复合材料。
通过透射电镜研究了纳米TiO 2 粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态, 并在此基础上研究了纳米TiO 2添加量对该复合材料介电性能的影响。结果表明, 随着纳米TiO 2含量的增加, 聚酰亚胺/ 纳米TiO 2 复合材料的体积电阻率和电气强度出现不同程度的劣化, 并造成了介电常数和介质损耗因数的增加, 但是材料的耐电晕性能显著增强, 在12MV / m 的电场强度下,纳米TiO 2 含量为15 %的PI 薄膜的耐电晕寿命为纯P I薄膜的40 多倍。
通过超声机械混合方法制备纳米二氧化硅/ 聚酰亚胺复合耐电晕薄膜,并对其耐电晕性进行测量。用红外光谱( IR) 和原子力显微镜(AFM) 观察无机纳米粒子的分散情况及其电晕前后变化。结果表明,纳米二氧化硅/ 聚酰亚胺复合薄膜耐电晕性比普通的聚酰亚胺薄膜高。
在综合国内外公开发表的相关文献的基础上,对耐电晕材料的合成、耐电晕机理进行了评述, 并指出目前我国在耐电晕材料的研究和产业化过程中存在的问题及今后的发展方向。为我国的耐电晕材料的研究, 特别是耐电晕聚酰亚胺薄膜的研制提供了有力的理论依据。
