聚酰亚胺薄膜是封装高密度电子元件内部多层连接结构所需要的介电绝缘材料。在封装的过程中，需要在聚酰亚胺薄膜上打通路孔、制造表面微结构电路图案和布置高密度连线等(这些加工都可以采用高重复频率的全固态紫外激光器完成)。在这些过程中，聚酰亚胺常常遭受Ti、Cr、W、Ni或Pb等的污染，而传统的化学方法不能达到彻底清洗。紫外激光由于有很高的光子能量，能打断聚酰亚胺的分子链，通过对薄膜的剥离，达到清除污染的目的，这已是高密度电子元件封装的有效方法。
全固态紫外激光器和准分子激光剥离聚酰亚胺技术已广泛用于电子元件封装的全过程。例如，对制备有相互绝缘的金制结构的15um厚的聚酰亚胺薄膜上面的铬污染，使用193nm准分子激光清洗，在能量密度22mJ／cm2时开始出现剥离，当提高能量密度，剥除速率增加缓慢，且在1J／cm2以后呈饱和状态。而248nm的KrF准分子激光清洗，则在能量密度约30mJ／cm2时开始出现剥离，剥离速率随能量密度增加迅速加快，在1J／cm2时每脉冲剥除厚度达0.36um。这可能是因为248nm剥除在光致作用外还有热作用的结果。
